솔리드 스테이트 릴레이의 턴 오프 커패시턴스 :
Photomos®, Optomos®, Photorelays 또는 MOSFET 릴레이와 같은 솔리드 스테이트 릴레이의 중요한 매개 변수는 소스와 드레인 사이의 턴 오프 커패시턴스 CD (OFF)입니다.이 매개 변수는 소스 신호가 배수 후 턴 오프에 영향을 미치는 정도를 반영합니다.일반적으로 고형 상태 릴레이 데이터 시트는이를 Cout이라고합니다.흥미롭게도 CMOS 스위치의 경우이 매개 변수가 항상 강조되지는 않습니다.그러나 비리 분리의 개념은 비슷한 목적에 작용합니다.스위치가 비활성화되면 소스에서 배수로 신호 커플 링을 측정합니다.우리의 탐사는 솔리드 스테이트 릴레이와 CMOS 스위치를 효과적으로 비교하기위한 중요한 단계 인 오프 이산에서 Cout을 파생시키는 데 탐구 할 것입니다.이 지식은 다양한 응용 프로그램에 대한 올바른 스위치를 선택할 때 중추적입니다.
분리의 주파수 종속성 삭제 :
예를 들어 ADG5412 스위치를 아날로그 장치에서 가져옵니다.전형적인 오프 이산 대 주파수 관계를 보여줍니다 (그림 1).흥미로운 부분?소스 신호 주파수가 상승함에 따라 오프 이사가 줄어 듭니다.고주파 신호는 OFF 스위치의 배수구에 더 쉽게 "누출"하는 경향이 있습니다.스위치의 동등한 회로를 탐구하면 (그림 2)는 매혹적인 세부 사항을 보여줍니다. 기생 커패시턴스 CD (OFF)는 소스를 연결하고 스위치가 꺼져있을 때 배수하여 고주파 신호가 미끄러질 수 있습니다.이 현상의 측정은 분리의 본질입니다.
턴 오프 격리 측정 :
비 분리 계산을 다루기 위해 테스트 회로에서 vs 및 vout 값을 추출하여 시작합니다 (그림 2).그런 다음이 값은 특정 방정식에 통합됩니다.먼저 회로를 고역 통과 필터 (그림 3)로보고 전송 기능을 계산하기위한 토대를 마련합니다.소스 전압 대 및 임피던스를 직조함으로써 시스템의 전체 전송 기능이 나타납니다.피날레?이 기능을 오프이 분리 공식에 연결하면 CDS (OFF) 미스터리가 해제됩니다.이 단계별 접근 방식은 체계적 일뿐 만 아니라 RL, 신호 주파수 F 및 턴 오프 격리 사양을 기반으로 CD (OFF)를 정확하게 추론하는 데 중요합니다.
CMOS 스위치 대 솔리드 스테이트 릴레이 :
아날로그 장치 범위에서 CD (OFF) 값을 면밀히 조사 할 때 CMOS 스위치와 솔리드 스테이트 릴레이를 비교하면 흥미로워집니다.예를 들어, ADG54XX 및 ADG52XX 시리즈는 최대 44V의 핸들링 기능을 자랑하며 ADG14XX 및 ADG12XX 시리즈는 33V에서 최대입니다.우리는이 수치를 30V ~ 40V 솔리드 스테이트 릴레이에 대해 병치하여 성능 변화를 주목합니다.또한 RON 및 CDS (OFF) 제품을 계산하면 능동 및 수동 상태에서 신호에 대한 스위치의 영향을 공개하여 포괄적 인 오프 시행 및 신호 손실 성능에 대한 창을 제공합니다.
CMOS 스위치의 가장자리 :
많은 측면에서 CMOS 스위치는 솔리드 스테이트 릴레이를 능가합니다.이것을 고려하십시오 : ADI의 CMOS 스위치의 일반적인 디지털 입력 전류는 단지 1NA로, 고체 릴레이 다이오드에 권장되는 5MA 전방 전류보다 훨씬 낮습니다.이로 인해 CMOS 스위치는 마이크로 컨트롤러 GPIO 직접 제어에 훨씬 더 적합합니다.또한, ADG1412와 같은 CMOS 스위치의 턴온 시간은 신속한 100NS이며, 고체 릴레이의 천만 밀리 초를 난쟁합니다.그리고 다중 스위칭 채널을 하나의 소형 패키지에 수용 할 수있는 능력이 더 있습니다.예를 들어, ADGS1414D는 8 개의 채널에 작은 5mm × 4mm 패키지로 적합합니다.