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對CMOS開關和固態繼電器的性能比較的深入探索

固態繼電器中的關閉電容:


固態繼電器中的關鍵參數,例如PhotoMos®,Optomos®,Photorelays或MOSFET繼電器,是源和排水管之間的關閉電容CD(OFF)。該參數反映了源信號影響漏極後關閉的程度。通常,固態繼電器數據表將其稱為COUT。有趣的是,對於CMOS開關,此參數並不總是突出顯示。但是,非異化的概念具有類似的目的。當開關不活動時,它可以測量從源到排水的信號耦合。我們的探索將深入研究脫離異化,這是有效比較固態繼電器和CMOS開關的關鍵步驟。這些知識在為各種應用程序選擇正確的開關方面至關重要。



關閉隔離的頻率依賴性:

以模擬設備的ADG5412切換為例。它例證了典型的離散性與頻率關係(圖1)。有趣的部分?隨著源信號頻率的攀升,離散的降低。高頻信號傾向於更容易地“洩漏”到關閉開關的排水口。深入研究開關的等效電路(圖2)揭示了一個引人入勝的細節:寄生電容CD(OFF)在開關關閉時橋接源並排幹,使這些高頻信號可以通過。這種現象的測量是關閉隔離的本質。

測量關閉隔離:

為了解決非隔離計算,我們首先從測試電路中提取VS和VOUT值(圖2)。然後,這些值集成到特定方程中。首先,我們將電路視為高通濾波器(圖3),為計算傳輸函數的基礎奠定了基礎。通過在源電壓VS及其阻抗中編織,系統的完整傳輸功能就會出現。結局?將此功能插入離線公式中,揭開了CD(OFF)的謎團。這種逐步的方法不僅是有條理的,這對於基於RL,信號頻率F和關閉隔離規範的CD(OFF)至關重要。

CMOS開關與固態繼電器:

當我們在模擬設備範圍內仔細檢查CD(OFF)值時,比較CMOS開關和固態繼電器會變得有趣。例如,ADG54XX和ADG52XX系列具有高達44V的功能,而ADG14XX和ADG12XX系列最大為33V。我們將這些數字與30V至40V固態繼電器並置,以聚焦性能變化。此外,計算RON和CDS(OFF)產品在主動狀態和被動狀態下揭示了開關對信號的影響,從而為窗口提供了一個全面的非隔離和信號損失性能。

CMOS開關的邊緣:

在許多方面,CMOS開關都超出了固態繼電器。考慮一下:ADI的CMOS開關的典型數字輸入電流僅1NA,比建議用於固態繼電器二極管的5MA正向電流低。這使得CMOS開關更容易受到微控制器GPIO直接控制。此外,像ADG1412這樣的CMOS開關的轉折時間是Swift 100NS,使固態繼電器的緩慢毫秒縮短了。還有更多 - 在一個緊湊的包裝中容納多個切換通道的能力。例如,ADGS1414D以一個小的5mm×4mm包裝擬合8個通道。